更換用電池。
初始電壓3.0V。
更換用大容量電池模塊，不帶電纜。
電流容量：18000mAh。
使用壽命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm。輸入輸出點數(shù)：512點Q12PHCPU手冊。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點數(shù):8192點。
程序容量：28k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序執(zhí)行階段：按用戶程序指令存放的先后順序掃描執(zhí)行每條指令，
經(jīng)相應(yīng)的運(yùn)算和處理后，其結(jié)果再寫入輸出狀態(tài)寄存器中，
輸出狀態(tài)寄存器中所有的內(nèi)容隨著程序的執(zhí)行而改變Q12PHCPU
輸出刷新階段：當(dāng)所有指令執(zhí)行完畢，
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中，
并通過一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出，驅(qū)動相應(yīng)輸出設(shè)備工作Q12PHCPU手冊。輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出元件數(shù)：8192點。
程序容量：28 k步。
處理速度：34ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡Q12PHCPU手冊。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程三菱CPU手冊。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域三菱CPU手冊。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。1軸，差分驅(qū)動器輸出型三菱CPU手冊。
控制單位：mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù)：600個數(shù)據(jù)/軸。
最大脈沖輸出：1Mpps。
40針連接器。
定位模塊。
開路集電極輸出型。
差分驅(qū)動器輸出型。
根據(jù)用途分為開路集電極輸出型和差分驅(qū)動器輸出型 2 種類型。
差分驅(qū)動器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 最高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器，
傳輸距離可達(dá) 10 米，實現(xiàn)高速高精度的控制。
（開路集電極型定位模塊的指令脈沖最高為200kpps。）
也可滿足高速、高精度控制需求。
最適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時，實現(xiàn)了最大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量量和定位功能模塊Q12PHCPU編程手冊。
可全面地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)機(jī)、驅(qū)動器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求Q12PHCPU手冊。
還可與CPU模塊組合使用，實現(xiàn)恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。